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準(zhǔn)備好進(jìn)入太空! 三結(jié)太陽(yáng)能電池在AM0光譜下的輻射抗性評(píng)估

更新時(shí)間:2023-12-15      點(diǎn)擊次數(shù):610

【要點(diǎn)摘要】

本篇研究由 云南師范大學(xué) A. Aierken 等人發(fā)表。

【背景】

格點(diǎn)匹配(LM)GaInP/GaAs/Ge三接面太陽(yáng)能電池因其高達(dá)30%的轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的輻射抗性而被廣泛應(yīng)用于太空能源系統(tǒng)。然而,子電池間的電流不匹配限制了進(jìn)一步的效率提高。使用GaInP/GaAs/InGaAs的倒置變形(IMM)三接面電池通過調(diào)節(jié)InGaAs底部電池的能隙,同時(shí)通過倒置生長(zhǎng)過程減少缺陷,實(shí)現(xiàn)了更高的效率。在1太陽(yáng)下,IMM電池的效率超過30%,在集中時(shí)可達(dá)到40%以上。此外,倒置基板去除的IMM結(jié)構(gòu)使得太陽(yáng)能電池具有靈活和輕量的特性。盡管已展示出很高的初始效率,IMM三接面電池在廣泛應(yīng)用于太空之前,其輻射降解特性需要與傳統(tǒng)的LM設(shè)計(jì)進(jìn)行更好的理解。本研究旨在分析1MeV電子和10MeV質(zhì)子輻照對(duì)IMM三接面太陽(yáng)能電池的影響。

【結(jié)果】

電性能降級(jí)

光譜性能和子電池分析

損傷系數(shù)和建模

【方法】

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【結(jié)論】

本研究表明,IMM GaInP/GaAs/InGaAs三接觸太陽(yáng)能電池展示出出色的輻射抗性,與傳統(tǒng)的LM GaInP/InGaAs/Ge電池相當(dāng)。在高通量電子和質(zhì)子輻照后,IMM電池顯示出超過73%的最大功率保留因子。詳細(xì)分析表明,盡管初始降解較高,變形的InGaAs底部電池提供了在末期條件下維持電流匹配所需的*韌性。所獲得的相對(duì)損傷系數(shù)使得能夠?qū)Ω鞣N粒子進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)評(píng)估。擁有非常高的初始效率和有前景的輻射耐久性,IMM三接觸電池對(duì)于靈活、輕量級(jí)的陣列設(shè)計(jì)在未來太空任務(wù)中滿足不斷增長(zhǎng)的功率需求具有吸引力。進(jìn)一步提升緩沖層質(zhì)量可能會(huì)提高IMM電池的輻射硬度。準(zhǔn)確評(píng)估輻射耐久性和性能需要模擬嚴(yán)苛的地外AM0光譜。為此,符合ASTM E927標(biāo)準(zhǔn)的太陽(yáng)模擬器,如Enlitech的SS-ZXR可提供關(guān)鍵功能,包括1366 W/m2強(qiáng)度下2%均勻性的標(biāo)準(zhǔn)AM0光譜。氙弧燈光源緊密逼近太陽(yáng)的5500K分布。此外,先進(jìn)的沉積AM0濾光片技術(shù)確保高光譜準(zhǔn)確性,可靠評(píng)估太空電池在其壽命期間推進(jìn)效率邊界。像SS-ZXR這樣的專用儀器將進(jìn)一步改善容忍度測(cè)試和特性化測(cè)試。

Fig. 3.(a)IMM太陽(yáng)能電池和(b)LM太陽(yáng)能電池在1 MeV電子和10 MeV質(zhì)子照射下I-V特性的降解。 (DDD = 3.16 × 1010 MeV/g)。


Fig. 7. IMM和LM太陽(yáng)能電池EQE光譜在輻照下的降解

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